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ICCAD盛大开幕 华虹宏力“芯”动亮相

作者:HHGRACE 发布日期:2017年11月17日 星期五

 (中国,上海—20171117)20171116-17日,“中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛”(“2017ICCAD年会”)在北京稻香湖景酒店举办。全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号:1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)精彩亮相。在这场多方瞩目的行业盛会上,华虹宏力积极响应“创新驱动,引领发展”的大会主题,向客户及合作伙伴展示了其差异化特色工艺及最新技术解决方案。

 

11月的北京,气温已然低迷。原本清冽的稻香湖畔,却因“2017ICCAD年会”的召开而颇显炽热。本届大会深入探讨了集成电路产业面临的机遇和挑战。当下,我国集成电路产业正蓬勃发展,华虹宏力作为半导体制造企业的代表,将持续发展特色工艺,助力中国“芯”腾飞。

华虹宏力以特色引领创新,在嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及混合信号、电源管理IC、射频和微机电系统(MEMS)等晶圆代工领域享有领先地位。全系列的嵌入式存储器工艺平台组合中,专为物联网打造的0.11微米超低漏电(ULL)嵌入式闪存平台,N/P管静态漏电<1pA/μm,并支持RF-CMOS设计;95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器,包括eFlasheEEPROMOTP工艺平台,助力客户在MCU应用市场提高竞争力,95纳米的低本高效MTPMultiple-Time Programming)工艺平台也在加速研发中;90纳米eFlash/eEEPROM工艺平台则将加固公司在智能卡领域的优势。聚焦功率器件市场,华虹宏力的深沟槽超级结(Deep Trench Super JunctionDT-SJ)及场截止型IGBTField StopFS IGBT)工艺平台在业界广受认可,其中,第三代DT-SJ实现了超低导通电阻,超高开关速度的特性;1700V IGBT技术已开发完成,适用于高端工业及新能源汽车的IGBT技术也指日可待。华虹宏力还可提供全套的电源管理芯片代工方案,拥有全系列的BCD/CDMOSCMOS模拟工艺平台,涵盖1微米到0.13微米,1.8V700V。正处于战略准备阶段的第二代BCD700V工艺平台,将在原先基础上减少2层光罩,并优化DMOS性能。针对射频技术,华虹宏力提供硅衬底全系列工艺解决方案,包括RF SOI、与逻辑工艺兼容的RF CMOSSiGe BiCMOS以及IPD等。0.2微米射频SOI工艺设计套件(PDK)颇受好评,能有效帮助客户提高设计效率。研发团队还在持续研发0.13微米射频SOI等射频相关技术,以响应智能手机出货量的增长及未来5G移动通信的发展。

 

大会期间,华虹宏力战略、市场与发展部门部长胡湘俊以“智能时代,畅想芯机遇”为题发表演讲:5G、人工智能等新兴领域已开始发酵,面对“芯”时代,华虹宏力如何走好特色创新之路?演讲现场,高潮迭起,精彩不断。

 

华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士在展会现场接受了《半导体制造》专访。

 

此次,华虹宏力展台还特别设置了互动游戏,吸引了大量围观。除了有趣的大转盘游戏让参与者叫好外,“拍照集赞的创意游戏也刷爆朋友圈,收获满满人气。

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